Diferencies ente revisiones de «Célula fotollétrica»

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Una '''célula fotoeléctrica''', tamién llamada '''celda, fotocélula o célula fotovoltaica''', ye un dispositivu electrónicu que dexa tresformar la enerxía llumínica ([[fotones]]) n'enerxía eléctrica ([[corriente eléctrica|fluxu d'electrones llibres]]) por aciu el [[efeutu fotoeléctricu]], xenerando [[enerxía solar fotovoltaica]]. Compuestu d'un material que presenta efeutu fotoeléctricu: absuerben fotones de lluz y emiten electrones. Cuando estos electrones llibres son prindaos, la resultancia ye una corriente eléctrica que puede ser utilizada como eletricidá.
 
La eficiencia de conversión media llograda poles célules disponibles comercialmente (producíes a partir de [[siliciu monocristalino]]) ta alredor del 16&nbsp;%, pero según la tecnoloxíateunoloxía utilizada varia dende'l 6% de les célules de [[siliciu amorfo]] hasta'l 22&nbsp;% de les célules de siliciu monocristalino. Tamién esisten les célules multicapa, de normal de [[arseniuro de galio]], qu'algamen eficiencies del 30&nbsp;%. En llaboratoriu superóse'l 46&nbsp;% con célules esperimentales.<ref>{{cita web
| url = http://www.ise.fraunhofer.de/en/press-and-media/press-releases/press-releases-2014/new-world-record-for-solar-cell-efficiency-at-46-percent
| títulu = ''New world record for solar cell efficiency at 46% French-German cooperation confirms competitive advantage of European photovoltaic industry''
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El [[efeutu fotovoltaico]] foi esperimentalmente demostráu per primer vegada pol físicu francés [[Edmond Becquerel]]. En 1839, a los 19 años, construyó la primer célula fotovoltaica del mundu nel llaboratoriu del so padre. [[Willoughby Smith]] describió per primer vegada'l «Effect of Light on Selenium during the passage of an Electric Current» [Efeutu de la lluz sobre'l seleniu mientres el pasu d'una corriente eléctrica] el 20 de febreru de 1873 na revista [[Nature (revista)|Nature]]. En 1883 [[Charles Fritts]] construyó la primer célula fotovoltaica d'[[estáu sólidu (electrónica)|estáu sólidu]] por aciu el recubrimientu del [[seleniu]] [[semiconductor]] con una capa delgada de [[oru]] pa formar les uniones; el dispositivu tuvo solo alredor del 1% d'eficiencia.
 
En 1888 el físicu rusu [[Aleksandr Stoletov]] construyó la primer célula basada nel efeutu fotoeléctricu esternu descubiertu por [[Heinrich Hertz]] en 1887.<ref name="Gevorkian2007">{{cite book|last=Gevorkian |first=Peter |title=Sustainable energy systems engineering: the complete green building design resource|url={{google books|id=i8rcHsOfPScC|p=498|plainurl=y}}|year=2007|publisher=McGraw Hill Professional|isbn=978-0-07-147359-0}}</ref>
 
En 1905 [[Albert Einstein]] propunxo una nueva teoría cuántica de la lluz y esplicó l'efeutu fotoeléctricu nun artículu de referencia, pol que recibió'l [[Premio Nobel de Física]] en 1921.<ref>[http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1921/ "The Nobel Prize in Physics 1921: Albert Einstein"], Nobel Prize official page</ref>
 
[[Vadim Lashkaryov]] afayó uniones ''p''-''n'' en Cu<math>_2</math>O y protocélulas de sulfuru de plata en 1941.<ref>V. Y. Lashkaryov, Investigation of a barrier layer by the thermoprobe method, Izv. Akad. Nauk SSSR, Ser. Fiz. '''5''', 442-446 (1941), English translation: Ukr. J. Phys. '''53''', 53-56 (2008),http://ujp.bitp.kiev.ua/files/journals/53/si/53SI11p.pdf</ref>
 
[[Russell Ohl]] patentó la moderna célula solar n'unión semiconductora en 1946<ref>"Light sensitive device" {{US patent|2402662}} Issue date: June 1946</ref> mientres trabayaba na serie de meyores que conduciríen al [[transistor]].
 
La primer célula fotovoltaica práutica amosóse públicamente'l 25 d'abril de 1954 nos [[Llaboratorios Bell]].<ref>{{cite journal |title=April 25, 1954: Bell Labs Demonstrates the First Practical Silicon Solar Cell |work=APS News |volume=18 |issue=4 |date=Abril de 2009 |publisher=American Physical Society |url=http://www.aps.org/publications/apsnews/200904/physicshistory.cfm }}</ref> El inventores fueron Daryl Chapin, [[Calvin Souther Fuller]] y [[Gerald Pearson]].<ref>{{cita publicación | título = ''A New Silicon p-n Junction Photocell for Converting Solar Radiation into Electrical Power'' | autor = D. M. Chapin, C. S. Fuller, and G. L. Pearson | publicación = Journal of Applied Physics | volume = 25 | númberu = 5 | fecha = mayoo de 1954 | páxines = 676–677 | doi = 10.1063/1.1721711}}</ref><ref name="Tsokos2010">{{cite book|first=K. A. |last=Tsokos|title=Physics for the IB Diploma Full Colour|url={{google books |plainurl=y |id=uWVQrIZqz_MC}}|date=28 de xineru de 2010|publisher=[[Cambridge University Press]]|isbn=978-0-521-13821-5}}</ref>
 
Les célules solares adquirieron notoriedá cola so incorporación nel satélite artificial [[Vanguard I]] en 1958, y el so subsiguiente usu en satélites más avanzaos, mientres la [[década de 1960]].
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Darréu, les oblees son «metalizadas», un procesu que consiste nel allugamientu d'unes cintes de metal encuallaes na superficie conectaes a [[Conector|contactos]] eléctricos que son les qu'absuerben la enerxía eléctrica que xeneren les uniones P/N por causa de la irradiación solar y tresmitir.
 
La producción de célules fotovoltaicas rique enerxía, y envalórase qu'un módulu fotovoltaico tien de trabayar alredor de 2 a 3 años<ref>[AIE http://www.eupvplatform.org/fileadmin/Documents/Brochure-indicateurs_26_pays.pdf - En comparanza cola evaluación de diversos indicadores ambientales de la eletricidá fotovoltaica nes ciudaes de la OCDE]{{pdf}}</ref> según la so tecnoloxíateunoloxía pa producir la enerxía que foi necesaria pa la so producción (módulu de torna d'enerxía).
 
Les técniques de fabricación y característiques de los principales tipos de célules describir nos siguientes 3 párrafos. Esisten otros tipos de célules que tán n'estudiu, pero'l so usu ye casi insignificante.
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=== Célules de siliciu amorfo ===
El siliciu mientres el so tresformamientu, produz un gas que se proxecta sobre una llámina de vidriu. La celda ye gris bien escuru. Ye la célula de les [[calculadora|calculadores]] y relóes llamaos «cortiles».
 
Tas célules fueron les primeres en ser manufacturadas, yá que podíen emplegase los mesmos métodos de fabricación de [[diodu|diodos]].
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* '''Inconvenientes:'''
** Rendimientu a plenu sol baxu, del 5&nbsp;% al 7&nbsp;%,<ref name="INES Education">{{cita web
| url = http://www.ines-solaire.com/solpv/page5.html
| títulu = Cours solaire thermique - INES Education
|urlarchivo=http://web.archive.org/web/http://www.ines-solaire.com/solpv/page5.html|fechaarchivo=25 de payares de 2015}}<!--Títulu xeneráu por Muriu Bot--></ref>
** Rendimientu decreciente col tiempu (~7&nbsp;%).
Llinia 107:
* '''Ventayes:'''
** Bon rendimientu de 14&nbsp;% al 16&nbsp;%<ref name='INES Education'>{{cita web
| url = http://www.ines-solaire.com/solpv/page5.html
| títulu = Cours solaire thermique - INES Education
|urlarchivo=http://web.archive.org/web/http://www.ines-solaire.com/solpv/page5.html|fechaarchivo=25 de payares de 2015}}<!--Títulu xeneráu por Muriu Bot--></ref>
** Bona relación potencia-superficie (~150&nbsp;Wp/m², lo qu'aforra espaciu en casu necesariu)
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Estes célules tienen una alta eficiencia y fueron desenvueltes p'aplicaciones espaciales. Les célules multiunión tán compuestes de delles capes delgaes usando la [[epitaxia]] por fexe molecular.
 
Una célules de triple unión, por casu, componer de semiconductores ''GaAs, Gue y GaInP2''. Cada tipu de semiconductores caracterizar por un máximu de llargor d'onda más allá del cual nun ye capaz de convertir los fotones n'enerxía eléctrica (ver [[banda prohibida]]). Per otru llau, per debaxo d'esti llargor d'onda, l'escesu d'enerxía tresportada pol fotón piérdese. D'ende'l valor de la seleición de materiales con llargores d'onda tan cerca l'unu al otru como sía posible, de forma qu'absuerban la mayoría del espectru solar, xenerando un máximu d'eletricidá a partir del fluxu solar. L'usu de materiales compuestos de caxes [[cuántica|cuántiques]] va dexar llegar al 65&nbsp;% nel futuru (con un máximu teóricu de 87&nbsp;%). Los dispositivos de célules d'uniones múltiples GaAs son más eficaces. Spectrolab llogró'l 40,7&nbsp;% d'eficiencia (avientu de 2006) y un consorciu (lideráu por investigadores de la Universidá de Delaware) llogró un rendimientu de 42,8&nbsp;%<ref>[http://www.greencarcongress.com/2007/07/ud-led-team-set.html Green Car ongress: UD-Led Team Sets Solar CellEficiency Record of 42.8%; Joins DuPont on $100M Project</ref>(setiembre de 2007). El costu d'estes célules ye d'aprosimao 40&nbsp;$/cm².
 
=== El semiconductor fbi ===
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Unu de los materiales con más ésitu na segunda xeneración fueron les [[Película fina|películes fines]] de [[teluro de cadmiu]] (CdTe), [[CIGS]], de [[siliciu amorfo]] y de [[siliciu microamorfo]] (estos postreros consistentes nuna capa de siliciu amorfo y microcristalino).<ref>[http://eng.sfe-solar.com/pv-modules/sharp/sharp-na-f128gk-thin-filme-amorphous-microcrystalline/ Sharp NA-F128GK solar panel Amorphous Microcrystalline Thin Filme]</ref><ref>[http://www.vicoexport.com/paneles-solares/sharp-solar/ Microamorfo]</ref> Estos materiales aplicar nuna [[película fina]] nun sustrato de sofitu tal como'l vidriu o la [[cerámica]], l'amenorgamientu de material y polo tanto de los costos ye significativa. Estes tecnoloxíes prometen faer mayores les eficiencies de conversiónsobremanera, el [[CIGS|CIGS-CIS]], el [[Celda Solar Graetzel|DSC]] y el [[teluro de cadmiu|CdTe]] que son los qu'ufierten los costos de producción significativamente más baratos. Estes tecnoloxíes pueden tener eficiencies de conversión más altes combinaes con costos de producción muncho más baratos.
 
Ente los fabricantes, esiste un enclín escontra les tecnoloxíes de la segunda xeneración, pero la comercialización d'estes tecnoloxíes foi difícil.<ref name=survey140-74>{{cita publicación|last1 = Hirshman|first1 = William P|last2 = Hering |first2 = Garret|last3 = Schmela|first3 = Michael|títulu = Market Survey: Cell & Module Production 2007|publicación = [http://web.archive.org/web/http://www.photon-magazine.com Photon International]|páxines = 140–174 |fecha=marzu de 2008|urlarchivo=http://web.archive.org/web/http://www.photon-magazine.com|fechaarchivo=25 de payares de 2015}}</ref> En 2007, [[First Solar]] produció 200&nbsp;MW de célules fotoeléctriques de CdTe, el quintu fabricante más grande de célules en 2007.<ref name=survey140-74 /> Wurth Solar comercializó la so tecnoloxíateunoloxía de CIGS en 2007 produciendo 15&nbsp;MW. Nanosolar comercializó la so tecnoloxíateunoloxía de CIGS en 2007 y con una capacidá de producción de 430&nbsp;MW pa 2008 nos EEXX y Alemaña.<ref>[https://web.archive.org/web/20090503124737/http://www.nanosolar.com/cache/GlobeSt100MM.htm Largest Solar Cell Factory Coming to Bay Area]</ref> Honda Soltec tamién empezó a comercializar la so base de paneles solares CIGS en 2008.
 
En 2007, la producción de CdTe representó 4.7&nbsp;% del mercáu, el siliciu de película fina'l 5.2&nbsp;%, y el CIGS 0.5&nbsp;%.<ref name=survey140-74 />