Diferencies ente revisiones de «Microondes»
Contenido eliminado Contenido añadido
m apostrofación |
m Preferencies llingüístiques: eléctricu => llétricu |
||
Llinia 9:
Les microondes pueden ser xeneraes de delles maneres, xeneralmente estremaes en dos categoríes: dispositivos d'estáu sólidu y dispositivos basaos en tubos de vacíu. Los dispositivos d'estáu sólidu pa microondes tán basaos en semiconductores de siliciu o arseniuro de galio, ya inclúin [[Transistor d'efectu campu|transistores d'efectu campu]] (FET), [[transistor bipolar|transistores d'unión bipolar]] (BJT), [[Diodu Gunn|diodos Gunn]] y [[Diodu IMPATT|diodos IMPATT]]. Desenvolviéronse versiones especializaes de transistores estándar p'altes velocidaes que s'usen comúnmente n'aplicaciones de microondes.
Los dispositivos basaos en tubos de vacíu operen teniendo en cuenta'l movimientu balísticu d'un electrón nel vacíu so la influencia de campos
== Usos ==
| |||