Diferencies ente revisiones de «Fotodiodu»

| componente = FotodiodoFotodiodu

Un '''fotodiodofotodiodu''' ye un [[semiconductor]] construyíu con una [[unión PN]], sensible a la incidencia de la [[lluz visible]] o [[infrarroxu|infrarroxa]]. Por que el so funcionamientu seya correctu se polariza inversamente, colo que se va producir una cierta circulación de corriente cuando seya escitáu pola lluz. Por cuenta de la so construcción, los fotodiodos pórtense como [[célula fotovoltaica|célules fotovoltaicas]], esto ye, allumaos n'ausencia d'una fonte esterior d'enerxía xeneren una corriente bien pequeña col positivu nel [[ánodu]] y el negativu nel [[cátodu]].

Un fotodiodofotodiodu ye una [[unión PN]] o estructura P-I-N. Cuando un fexe de lluz d'abonda enerxía incide nel diodu, escita un electrón dándo-y movimientu y crea un buecu con carga positiva. Si l'absorción asocede na zona d'escosamientu de la unión, o a una distancia d'espardimientu d'él, esti portadores son retiraos de la unión pel campu de la zona d'escosamientu, produciendo una fotocorriente.

Los diodos tienen un sentíu normal de circulación de corriente, que se llama polarización direuta. Nesi sentíu'l diodu dexa pasar la corriente llétrica y práuticamente nun lo dexa nel inversu. Nel fotodiodofotodiodu la corriente (que varia colos cambeos de la lluz) ye la que circula en sentíu inversu al dexáu pola juntura del diodu. Esto ye, pal so funcionamientu'l fotodiodofotodiodu ye polarizado de manera inversa. va producise un aumentu de la circulación de corriente cuando'l diodu ye escitáu pola lluz. N'ausencia de lluz la corriente presente ye bien pequeña y recibe el nome de [[corriente d'escuridá]].

[[FotodiodoFotodiodu d'ábanu|Fotodiodos d'ábanu]] Tienen una estructura similar, pero trabayen con voltaxes inversos mayores. Esto dexa a los portadores de carga fotogenerados ser multiplicaos na zona d'ábanu del diodu, resultando nuna ganancia interna, qu'amonta la respuesta del dispositivu.

El material emplegáu na composición d'un fotodiodofotodiodu ye un factor críticu pa definir les sos propiedaes. Suelen tar compuestos de [[siliciu]], sensible a la lluz visible ([[llargor d'onda]] d'hasta 1µm); [[xermaniu]] para [[lluz infrarroxo]] (llargor d'onda hasta aprox. 1,8 µm ); o de cualesquier otru material [[semiconductor]].

D'antiguo fabricábense [[exposímetro]]s con un fotodiodofotodiodu de [[seleniu]] d'una superficie amplia.

* A diferencia del [[Fotorresistor|LDR]] , el fotodiodofotodiodu respuende a los cambeos d'escuridá a llume y viceversa con muncha más velocidá, y puede utilizase en circuitos con tiempu de respuesta más pequeñu.