Diferencies ente revisiones de «Microondes»

Contenido eliminado Contenido añadido
m iguo parámetros de plantía
m preferencies llingüístiques: efectu => efeutu
Llinia 7:
La esistencia d'ondes electromagnétiques, de les cualos les microondes formen parte, fueron prediches por [[James Clerk Maxwell|Maxwell]] en [[1864]] a partir de les sos famoses [[Ecuaciones de Maxwell]]. En [[1888]], [[Heinrich Rudolf Hertz]] foi'l primeru en demostrar la esistencia d'ondes electromagnétiques por aciu la construcción d'un aparatu pa xenerar y detectar ondes de radiofrecuencia.
 
Les microondes pueden ser xeneraes de delles maneres, xeneralmente estremaes en dos categoríes: dispositivos d'estáu sólidu y dispositivos basaos en tubos de vacíu. Los dispositivos d'estáu sólidu pa microondes tán basaos en semiconductores de siliciu o arseniuro de galio, ya inclúin [[Transistor d'efectuefeutu campu|transistores d'efectuefeutu campu]] (FET), [[transistor bipolar|transistores d'unión bipolar]] (BJT), [[Diodu Gunn|diodos Gunn]] y [[Diodu IMPATT|diodos IMPATT]]. Desenvolviéronse versiones especializaes de transistores estándar p'altes velocidaes que s'usen comúnmente n'aplicaciones de microondes.
 
Los dispositivos basaos en tubos de vacíu operen teniendo en cuenta'l movimientu balísticu d'un electrón nel vacíu so la influencia de campos llétricos o magnéticos, ente los que s'inclúin el [[magnetrón]], el [[klistrón]], el [[traveling-wave tube|TWT]] y el [[girotrón]].