Diferencies ente revisiones de «Célula fotollétrica»

* La capa cimera de la celda, que se compon de siliciu [[Dopaxe (semiconductores)#dopaxe tipu n y tipu p|dopado de tipu n]].<ref group="nota">Una pequeña proporción d'átomos de siliciu sustituyir por un elementu de [[Valencia (química)|valencia]] cimera na [[tabla periódica]], esto ye, que tien más electrones nel so [[capa de valencia]] que'l siliciu. El siliciu tien 4 electrones na so capa de valencia: pueden utilizase elementos del [[grupu del nitróxenu|columna 15]], por casu, [[fósforu]].</ref> Nesta capa, hai un númberu d'electrones llibres mayor que nuna capa de siliciu puro, d'ende'l nome del dopaxe n, negativu. El material permanez llétricamente neutru, yá que tantu los átomos de siliciu como los del material dopante son neutros: pero la rede cristalina tien globalmente una mayor presencia d'electrones que nuna rede de siliciu puro.

 

 

Nel momentu de la creación de la unión pn, los electrones llibres de la capa n entren instantáneamente na capa p y se recombinan colos buecos na rexón p. Va Esistir asina mientres tola vida de la unión, una carga ''positiva'' na rexón n a lo llargo de la unión (porque falten electrones) y una carga ''negativa'' na rexón en p a lo llargo de la unión (porque los ''buecos'' sumieron); el conxuntu forma la Zona de Carga d'Espaciu» (ZCE) o "zona de barrera" y esiste un [[campu llétrico]] ente los dos, de n escontra p. Esti campu llétrico fai de la ZCE un [[diodu]], que solo dexa'l fluxu de portadores nuna direición: N'ausencia d'una fonte de corriente esterior y so la sola influencia del campu xeneráu na ZCE los electrones solo pueden movese de la rexón p a la n, pero non na direición opuesta y pela cueta los ''buecos'' nun pasen más que de n escontra p.

El procedimientu más emplegáu na actualidá ye'l [[Procesu Czochralski]], pudiéndose emplegar tamién téuniques de coláu. El siliciu cristalino asina llográu tien forma de lingotes.

 

 

Dempués de la corte de les oblees, les mesmes presenten irregularidaes superficiales y defectos de corte, amás de la posibilidá de que tean puerques de polvu o forgaxes del procesu de fabricación. Esta situación puede menguar considerablemente'l rendimientu del panel fotovoltaico asina que se realicen un conxuntu de procesos p'ameyorar les condiciones superficiales de les oblees tales como una llavadura preliminar, la eliminación de defectos por ultrasoníos, el decapado, l'apolazadura o la llimpieza con productos químicos. Pa les celdes con más calidá (monocristal) realízase un tratáu de texturizado pa faer que la oblea absuerba con más eficiencia la radiación solar incidente.