Lanying Lin
Lanying Lin (treslliteración 林兰英))(7 de febreru de 1918, Putian – 4 de marzu de 2003), foi una científica china nel campu de la inxeniería de materiales.[1][2][3][4] Nació en Putian, provincia Fujian, sur de China. Ye considerada la Madre de los Materiales Aeroespaciales y la Madre de los Materiales Semiconductores en China. Nació nuna familia prestixosa, fondamente influyida pola creencia de que la muyer nun precisaba una educación. Por ello, nun asistió a la escuela primaria. Pero ella lluchó contra la so familia por un cambéu y consiguió la posibilidá d'empecipiar una educación formal. Graduar pola Universidá cristiana de Fujian, con un grau de B.A. en Física.[5] A los trenta años, asistió a la Dickinson University y ganó otru grau en matemátiques. En 1955, recibió'l doctoráu en Física del estáu sólidu pola Universidá de Pennsylvania, convirtiéndose na primer persona china en cien años en ganar el doctoráu nesa universidá. En 1957, tornó a China y foi asignada pa ser investigadora nel Institutu de Física CAS. Depués camudóse al Institutu de Semiconductores CAS y ocupó tola so vida con investigaciones nesa institución.
Lanying Lin | |||||
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Eleiciones: 8th National People's Congress (en)  , 7th National People's Congress (en) , 6th National People's Congress (en) , 5th National People's Congress (en) , 4th National People's Congress (en) , 3rd National People's Congress (en)
Eleiciones: 7th National People's Congress (en) , 6th National People's Congress (en) , 5th National People's Congress (en) , 4th National People's Congress (en) , 3rd National People's Congress (en) | |||||
| Vida | |||||
| Nacimientu | Putian, 7 de febreru de 1918 | ||||
| Nacionalidá |
 República Popular China | ||||
| Muerte | 4 de marzu de 2003 (85 años) | ||||
| Estudios | |||||
| Estudios |
Universidá de Pennsylvania Universidá de Chicago Dickinson College (es) | ||||
| Oficiu | política, física | ||||
| Premios | |||||
| Miembru de |
Academic Division of Technological Sciences of the Chinese Academy of Sciences (en) | ||||
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Mientres la so vida, encaró munches dificultaes por ser muyer. Dempués de volver d'EEXX, xunir a la Federación de Muyeres de China.[6] Dio munches conferencies y falaba sobre asuntos de xéneru. Creyó que nel campu de la ciencia, muyeres y homes son iguales.
- 1957: fixo'l primera xermaniu monocristalino (N-estilu y P-estilu) en China, sentando les bases pal desenvolvimientu de la radio a transistores.
- 1958: fabrica'l antimoniuro de galio monocristalino
- 1958: payares, fabricáu'l primera siliciu cristalino
- 1959: fixo'l sulfuru de cadmiu cristalín
- 1960: fixo los materiales estensos pal siliciu *
1962: fabrica'l primer fornu monocristalino llamáu TDK en China * 1962: fabrica'l primer siliciu monocristalino ensin malposición en China * 1962: produzse'l primera antimoniuro d'indiu monocristalino cola mayor purificación
- 1962: primer arseniuro de galio monocristalino
- 1963: fabrica'l primera láser semiconductor en China *
1963: fabrica siliciu altamente purificado y recibe el segundu premiu de los Llogros Nacionales en Ciencia y Teunoloxía
- 1964: Diseña'l procesu de faer siliciu con baxa malposición y recibe el segundu premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Teunoloxía
- 1974: fabrica'l primera arseniuro de galio monocristalino ensin malposición
- 1978: recibe'l CAS Llogros Importantes del Premiu de Ciencia y Teunoloxía
- 1981: fabrica'l circuitu integráu y recibe el CAS Llogros Importantes del Premiu de Ciencia y Teunoloxía
- 1986: realiza'l circuitu integráu SOS-CMOS y recibe el tercer premiu de Los Llogros Nacionales en Ciencia y Teunoloxía
- 1989: investigación sobre l'estensu material GaInAsSb/InP y recibe el segundu premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Teunoloxía
- 1989: realizó con ésitu l'esperimentu de fundir el arseniuro de galio en satélites artificiales y recibe el tercer premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Teunoloxía
- 1990-1991: recibió'l tercer premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Teunoloxía cuatro vegaes
- 1991: fixo un satélite con cinco circuitos distintos del circuitu integráu SOS-CMOS
- 1992: fixo'l fosfuro d'indiu monocristalino
- 1998: fixo célules solares de arseniuro de galio licuando los materiales estensos
- 1990-2000: lideró la investigación en SIC, material de GaN y plantegó la nueva teunoloxía de crecedera en materiales d'alta temperatura
- 1962: vicepresidenta de la Federación Xuvenil de toa China *
1964: avientu, diputada al congresu de la Tercer Asamblea Popular Nacional y miembru permanente de la Comisión del congresu de l'Asamblea Popular Nacional
- 1975: xineru, diputada al congresu de la Cuarta Asamblea Popular Nacional
- 1978: febreru, diputada al congresu de l'Asamblea Popular Nacional
- 1978: hasta setiembre de 1983, miembru de la federación de Muyeres de toa China (ACWF)
- 1978: miembru del comité del Institutu chinu d'Electrónica (CIE)
- 1979: xunetu, direutora xestora del Institutu chinu d'Electrónica (CIE)
- 1980: abril, segunda vicepresidenta de l'Asociación China pa la Ciencia y Teunoloxía (CAST)
- 1981: mayu, direutora xestora del departamentu de teunoloxía de l'Academia china de Ciencia (CAS)
- 1982: setiembre, delegada de la Docena Conferencia Nacional del Pueblu celebrada pol Partíu Comunista de China (CCP)
- 1983: mayu, diputada al congresu de La Sexta Asamblea Popular Nacional
- 1986: tercer vicepresidenta de l'Asociación China pa Ciencia y Teunoloxía (CAST)
- 1988: marzu, diputada na Séptima Asamblea Nacional Popular y miembru de la Comisión permanente del congresu de l'Asamblea Nacional Popular
- 1988: Direutora honoraria del Institutu chinu d'Electrónica (CIE)
- 1991: cuarta vicepresidenta de l'Asociación China pa Ciencia y Teunoloxía (CAST)
- 1993: marzu, diputada na Octava Asamblea Nacional Popular y miembru de la Comisión permanente del congresu de l'Asamblea Nacional Popular
- 1996: Direutora del Llaboratoriu Nacional Clave en microgravedad
- Dislocations Y Bastia en Semi-Galio Aislante Arsenide Reveló por Ultrasónicu Abrahams-Buiocchi Aguafuerte[8]
- Defectos estequiométricos en Semi-Aislantes GaAs[9]
- Interfaz Roughness Espardiendo en GaAs-AlGaAs Modulación-Dopado Heterostructures[10]
- Crecedera de GaAs Cristales Solos en Gravedá Alta[11]
- Meyora de Estequiometría en Semi-Galio Aislante Arsenide Crecíu so Microgravity[12]
- Magnetospectroscopy D'Atáu Phonons en Pureza Alta GaAs[13]
- Influencia de #DX centros nel AlxGa12xAs barrera na densidá de temperatura baxo y movilidá del gas d'electrón bidimensional en GaAs/AlGaAs modulación-dopado heterostructure[14]
- Influencia del semi-aislante GaAs Schottky plataforma nel Schottky barrera na capa activa[15]
- Backgating Y Sensibilidá Llixera en GaAs Metal-Transistores d'Efeutu de Campu de Semiconductor[16]
- Dependencia d'Enerxía del fotón de SW Efeutu en α-Si:H Películes[17]
- Irradiación de neutrón-Métodu de Midida Basáu Infrarroxu pa Interstitial Osíxenu en Fuertemente Boro-Siliciu Dopado[18]
- Propiedaes y Aplicaciones de GaAs el cristal Solu Crecíu so Microgravity Condiciones[19]
- Resultaos preliminares de GaAs Crecedera de Cristal Solu so Condiciones de Gravedá Alta[20]
- Distribuciones espaciales d'Impureces y Defectos en Te-y Si-dopó GaAs Crecíu nuna Redolada de Gravedá Amenorgáu[21]
- Microdefects Y uniformidá llétrica de InP annealed en fósforu y fierro phosphide ambiances[22]
- Formación, estructura y fluorescencia de CdS grupos nun mesoporous zeolita[23]
- Fabrication De novel doble-hetero-epitaxial SOI estructura Si/γ-Al2O3/Si[24]
- Photostimulated Luminiscencia de grupos de plata en zeolita-Y[25]
- Carauterización de defectos y uniformidá d'oblea entera de annealed undoped semi-aislante InP oblees[26]
- Bien embaxo-presión VLP-CVD crecedera calidable alta γ-Al2O3películes enriba siliciu por multi-proceso de camín[27]
- Dalguna observación nueva na formación y propiedaes óptiques de CdS grupos en zeolita-Y[28]
- Absorción spectra de Segrupos de 8 aniellos en zeolita 5Un[29]
- Crecedera de GaSb y GaAsSb na rexón de fase sola por MOVPE[30]
- Crecedera y propiedaes de pureza alta LPE-GaAs[31]
- Centros de color nuevu y photostimulated luminiscencia de BaFCl:Eu2+[1][32]
- Channeling Analís de self-enllantáu y recrystallized siliciu enriba zafiru[33]
- Semi-Aislante GaAs crecíu n'espaciu esterior[34]
- Irradiación de neutrón indució photoluminescence de cristal de siliciu crecío n'hidróxenu ambiental[35]
- La influencia de grosez en propiedaes de GaN buffer capa y fuertemente Si-dopó GaN crecíu por metalorganic vapor-fase epitaxy[36]
- La dependencia d'índiz de crecedera de GaN buffer capa enriba parámetros de crecedera por metalorganic vapor-fase epitaxy[37]
- Self-Organización del InGaAs/GaAs puntos cuánticos superlattice[38]
- Thermoluminescence De CdS grupos en zeolita-Y[39]
Referencies
editar- ↑ Zheng, Guoxian (2005). Academician Lanying Lin. Beijing: Writer Press. ISBN 7-5063-3267-1.
- ↑ 2,0 2,1 Guo, Kemi (1998).
- ↑ 3,0 3,1 3,2 He, Panguo (2014). Biography of Lanying Lin. Scientific Press. ISBN 9787030401250.
- ↑ "Lanying Lin".
- ↑ "Fukien Christian University".
- ↑ Chen, Chen (1996).
- ↑ Lin, Lanying (1992).
- ↑ Chen, Nuofu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Pan, Kun; Lin, Lanying (1996-10-01).
- ↑ Chen, NuoFu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Lin, Lanying (1997-04-01).
- ↑ Yang, Bin; Cheng, Yong-hai; Wang, Zhan-guo; Liang, Ji-ben; Liao, Qi-wei; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1994-12-26).
- ↑ Zhou, Bojun; Cao, Funian; Lin, Lanying; Ma, Wenju; Zheng, Yun; Tau, Feng; Xue, Minglun (1994-01-01).
- ↑ Lin, Lanying; Zhong, Xingru; Chen, NuoFu (1998-07-15).
- ↑ Chen, NuoFu; Wang, Yutian; He, Hongjia; Lin, Lanying (1996-09-15).
- ↑ Yang, Bin; Wang, Zhan-guo; Cheng, Yong-hai; Liang, Ji-ben; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1995-03-13).
- ↑ Wu, J.; Wang, Z. G.; Lin, L. Y.; Han, C. B.; Zhang, M.; Bai, S. W. (1996-04-29).
- ↑ Li, Rui-Gang; Wang, Zhan-Guo; Liang, Ji-Ben; Ren, Guang-Bao; Fan, Ti-Wen; Lin, Lan-Ying (1995-05-01).
- ↑ Tian, J.F.; Jiang, D.S.; Zeng, B.R.; Huang, Lin; Kong, G.L.; Lin, L.Y. "Photon energy dependence of SW effect in a-Si:H films".
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- ↑ Lin, L.Y.; Zhong, X.R.; Wang, Z.G.; Li, C.J.; Shi, Z.W.; Zhang, M. "Properties and applications of GaAs single crystal grown under microgravity conditions".
- ↑ Zhong, X. R.; Zhou, B. J.; Yan, Q. M.; Cao, F. N.; Li, C. J.; Lin, L. Y.; Ma, W. J.; Zheng, Y.; Tau, F. (1992-04-02).
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- ↑ Chen, Wei; Xu, Yan; Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying (1998-01-01).
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- ↑ Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Chen, Wei; Lin, Lanying; Li, Guohua; Liu, Zhenxian; Han, Hexiang; Wang, Zhaoping (1997-06-15).
- ↑ Lu, Da-cheng; Liu, Xianglin; Wang, Du; Lin, Lanying (1992-11-01).
- ↑ Lanying, Lin; Zhaoqiang, Fang; Bojun, Zhou; Suzhen, Zhu; Xianbi, Xiang; Rangyuan, Wu. "Growth and properties of high purity LPE-GaAs".
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- ↑ Renyong, Fan; Yuanhuan, Yu; Shiduan, Yin; Lanying, Lin.
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- ↑ Liu, Xianglin; Wang, Lianshan; Lu, Da-Cheng; Wang, Du; Wang, Xiaohui; Lin, Lanying (1998-06-15).
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- ↑ Zhuang, Qiandong; Li, Hanxuan; Pan, Liang; Li, Jinmin; Kong, Meiying; Lin, Lanying (1999-05-01).
- ↑ Chen, Wei (1 de marzu de 1997). «Thermoluminescence of CdS clusters in zeolite-Y». Journal of Luminescence 71 (2): páxs. 151–156. doi:. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231396001299.
Enllaces esternos
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Datos: Q21604834
